发明人：许军旗、王其尚、付灿、许靖

授权号：ZL201810061559.3

应用领域：探测器

联系人：邱洋

联系方式：0376-6391292

地址：河南省信阳市南湖路237号河南省知识产权运营管理中心

摘要：

本发明公开了一种磷化硼一维纳米材料的制备方法，包括清洗Si衬底，烘干后镀上催化剂备用；将有催化剂的Si衬底置于管式炉石英管中部；将管式炉密封后充满惰性保护气体，然后对其抽真空；抽真空排除O₂之后，在惰性气体保护下加热石英管，待其升温至900～1000℃时，通入硼源前驱体和磷源前驱体；反应30～90min后，停止通入硼源和磷源前驱体，管式炉降温至室温，关闭惰性保护气体，取出Si衬底。本发明采用Si衬底，通过易于操作的化学气相沉积方法实现了磷化硼( BP )纳米线的成功制备；本发明的制备方法易于操作，不需要复杂的工艺条件，工艺简单，制得的磷化硼( BP )纳米线质量好，结晶度高，产率高，预期在中子探测器、光学探测器及微电子领域具有广泛的应用前景。